Как проверить биполярный транзистор
- Транзистор и его особенности
- Инструкция по измерению транзисторов
- Измерение прямого и обратного сопротивления
- Проверка транзистора в активном режиме
- Сборка схемы для проверки в активном режиме
Транзистор и его особенности
Транзистор - это электронный прибор, изготовленный из полупроводниковых материалов, который применяется в электросхемах для усиления сигналов. Биполярный транзистор отличается от других типов транзисторов тем, что он использует как электроны, так и дырки в качестве носителей.
Инструкция по измерению транзисторов
Для измерения транзисторов вам понадобится тестер с измерителем коэффициента усиления, обычный тестер в режиме омметра или цифровой тестер в режиме проверки диодов, а также специальная схема включения в активном режиме.
Измерение прямого и обратного сопротивления
Измерение прямого сопротивления p-n-p перехода осуществляется путем подключения "минуса" мультиметра к базе, а "плюса" поочередно к коллектору и эмиттеру. Для измерения обратного сопротивления подайте "плюс" на базу, а "минус" на эмиттер и коллектор. Сопротивление n-p-n перехода проверяется аналогично, но с изменением полярности. Такая проверка позволяет определить, должны ли переходы с базы на коллектор и эмиттер быть замкнутыми только в одном направлении.
Проверка транзистора в активном режиме
Хотя такая проверка не дает гарантии исправности транзистора, она может помочь получить большую уверенность. Чаще всего биполярные транзисторы выходят из строя из-за короткого замыкания выводов или разрыва цепи. Для получения стопроцентной уверенности в работоспособности транзистора необходимо провести проверку в активном режиме.
Сборка схемы для проверки в активном режиме
Для проверки транзистора в активном режиме необходимо собрать специальную схему на основе трехвыводного пьезоэлемента-излучателя, часто используемого в телефонах. Если транзистор исправен, вы услышите звуковой сигнал. Преимущество этой схемы заключается в ее простоте сборки, возможности проверки биполярных транзисторов любой проводимости (путем изменения полярности питания) и отсутствии риска повреждения транзистора при ошибочной подаче питания.
